| 摘要 |
<p>L'invention concerne une structure (1) semiconductrice de type photodiode à avalanche destinée à recevoir un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueurs d'onde donnée. La structure comporte une première zone (210) semiconductrice d'un premier type de conductivité présentant une première face longitudinale (201), ladite première zone (210) étant réalisée en tellurure de mercure-cadmium du type CdxHg1-xTe avec une proportion x de cadmium qui est variée. La structure (1) comportant en outre au moins une deuxième zone semiconductrice (310) en contact la première zone (210), et une troisième zone (410) semiconductrice en contact avec la deuxième zone (310). La première zone (210) comporte un élément dopant, tel que l'arsenic, dont la concentration est variée alternativement dans une direction sensiblement perpendiculaire à la première face longitudinale (201 entre une concentration dite faible et une concentration dite forte. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une structure (1) selon l'invention.</p> |
