| 摘要 |
Es werden akustische Bulk-Wellen-Filter und/oder akustische Bulk-Resonatoren, die mit CMOS-Einheiten kombiniert sind, Verfahren zur Herstellung sowie Entwurfsstrukturen bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Bilden von wenigstens einem Träger (44), der ein Material (29) aus amorphem Silicium aufweist, sowie ein Bereitstellen eines Isolatormaterials (32) über und benachbart zu dem Träger aus amorphem Silicium. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bilden eines Durchkontakts (50) durch das Isolatormaterial hindurch sowie ein Freilegen eines Materials (25), das unter dem Träger (44) aus amorphem Silicium liegt. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bereitstellen eines Opfermaterials (36) in dem Durchkontakt und über dem Träger aus amorphem Silicium. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren das Bereitstellten eine Kappe (38) auf dem Opfermaterial und über dem Isolatormaterial. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Abführen des Opfermaterials und des darunter liegenden Materials durch die Kappe (Öffnung 40 zum Abführen) hindurch, um einen oberen Hohlraum (42a) oberhalb des Trägers aus amorphem Silicium beziehungsweise einen unteren Hohlraum (42b) unterhalb des Trägers aus amorphem Silicium zu bilden. |
