| 摘要 |
<p>Eine Solarzellenanordnung, die Folgendes aufweist: eine erste Solarzelle einschließlich einer ersten Halbleiterzone, einschließlich eines ersten Anschlusses eines ersten Leitfähigkeits-Typs auf einer oberen Oberfläche (Oberseite) der ersten Solarzelle und einen zweiten Anschluss eines zweiten Leitfähigkeits-Typs auf der unteren Oberfläche (Bodenoberfläche) der ersten Solarzelle und eine zweite Halbleiterzone; wobei die erste Halbleiterzone der ersten Solarzelle Folgendes aufweist: eine erste Subzelle einschließlich eines Germanium (Ge) Substrats mit einer Diffusionszone dotiert mit n-Typ Dotiermitteln einschließlich Phosphor und Arsen, wobei ein oberer Teil einer derartigen Diffusionszone eine höhere Konzentration von Phosphor (P) Atomen besitzt, als von Arsen (As) Atomen, wobei die Diffusionszone ferner einen unteren Teil aufweist, und wobei As Atome eine höhere Konzentration besitzen verglichen mit den P Atomen in dem unteren Teil, wobei eine zweite Subzelle einschließlich einer Schicht von entweder Gallium-Arsenid (GaAs) oder Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) angeordnet ist über dem Substrat und eine Keimbildungsschicht in direktem körperlichen Kontakt mit dem Substrat steht, wobei die Keimbildungsschicht, die die Diffusion der As Atome in das Substrat steuert, wobei die Keimbildungsschicht frei von Arsen ist; wobei die zweite Halbleiterzone der ersten Solarzelle eine erste Bypass-Diode aufweist mit einem ersten Anschluss eines ersten Leitfähigkeits-Typs und einem zweiten Anschluss eines zweiten Leitfähigkeits-Typs, wobei der Anschluss des zweiten Leitfähigkeits-Typs elektrisch isoliert ist von den Halbleiterzonen der ersten Solarzelle; eine zweite Solarzelle angeordnet, benachbart zu der ersten Solarzelle, wobei die zweite Solarzelle eine erste Halbleiterzone aufweist, einschließlich eines ersten Anschlusses eines ersten Leitfähigkeits-Typs auf einer oberen Oberfläche (Oberseite) der zweiten Solarzelle und einen zweiten Anschluss eines zweiten Leitfähigkeits-Typs auf der unteren Oberfläche (Bodenoberfläche) der zweiten Solarzelle und wobei eine zweite Halbleiterzone vorgesehen ist; wobei die erste Halbleiterzone der zweiten Solarzelle Folgendes aufweist: eine erste Subzelle einschließlich eines Germanium (Ge) Substrats mit einer Diffusionszone dotiert mit n-Typ Dotiermitteln einschließlich Phosphor und Arsen, wobei ein oberer Teil einer solchen Diffusionszone eine höhere Konzentration von Phosphor (P) Atomen besitzt als von Arsen (As) Atomen, wobei die Diffusionszone ferner einen unteren Teil aufweist und die As Atome eine höhere Konzentration verglichen mit den P Atomen in dem unteren Teil besitzen, wobei eine zweite Subzelle eine Schicht aufweist aus entweder Gallium-Arsenid (GaAs) oder Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) angeordnet über dem Substrat und eine Keimbildungsschicht, die in direktem körperlichen Kontakt mit dem Substrat steht, wobei die Keimbildungsschicht, die die Diffusion der As Atome in das Substrat steuert, frei von Arsen ist; wobei die zweite Halbleiterzone der zweiten Solarzelle eine zweite Bypass-Diode aufweist mit einem ersten Anschluss eines ersten Leitfähigkeits-Typs und einem zweiten Anschluss eines zweiten Leitfähigkeits-Typs, wobei der Anschluss des zweiten Leitfähigkeits-Typs elektrisch isoliert ist von den Halbleiterzonen der zweiten Solarzelle; und wobei der zweiter Anschluss eines zweiten Leitfähigkeits-Typs der ersten Bypass-Diode der ersten Solarzelle elektrisch verbunden ist mit dem ersten Anschluss des ersten Leitfähigkeits-Typs der zweiten Solarzelle, und wobei der erste Anschluss eines ersten Leitfähigkeits-Typs der ersten Bypass-Diode der ersten Solarzelle elektrisch verbunden ist mit dem zweiten Anschluss eines zweiten Leitfähigkeits-Typs der ersten Solarzelle und mit dem ersten Anschluss eines ersten Leitfähigkeits-Typs der zweiten Solarzelle.</p> |
