Verfahren zur Herstellung eines GaAs-Einkristalls und GaAs-Einkristallwafer

摘要

Es werden ein Verfahren zur Herstellung eines GaAs-Einkristalls mit einer hohen Trägerkonzentration und einer hohen Kristallinität sowie ein GaAs-Einkristallwafer, bei dem ein solcher GaAs-Einkristall verwendet wird, bereitgestellt. Bei dem Verfahren zur Herstellung eines GaAs-Einkristalls wird ein Vertikalschiffchenverfahren mit einem Tiegel 4 durchgeführt, in dem sich ein Keimkristall 10, ein Si-Material 12, das als Fremdatom dient, ein GaAs-Material 14, festes Siliziumdioxid 16 und ein Boroxidmaterial 18 befinden, wodurch ein GaAs-Einkristall 20 wachsen gelassen wird.