发明名称 | 在太赫兹波段具有宽带高吸收率涂层的制备方法 | ||
摘要 | 一种在太赫兹波段具有宽带高吸收率涂层的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取碳化硅颗粒和黑漆涂料;步骤2:将碳化硅颗粒和黑漆涂料混合;步骤3:将混合后的碳化硅颗粒和黑漆涂料喷涂在基底材料的表面;步骤4:将喷涂有混合后的碳化硅颗粒和黑漆涂料的基底材料晾干或烘干,完成制备。本发明具有制备简单、吸收率高、吸收带宽宽的涂层材料,通过混合碳化硅颗粒和黑漆涂层,实现了频率大于0.05THz(对应波长小于6mm)的电磁辐射的宽波段全吸收,该涂层可用于太赫兹波段辐射强度的绝对测量和目标在太赫兹波段的隐身。 | ||
申请公布号 | CN103191857B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
申请号 | CN201310119892.2 | 申请日期 | 2013.04.08 |
申请人 | 中国计量科学研究院 | 发明人 | 邓玉强;孙青;于靖 |
分类号 | B05D5/06(2006.01)I | 主分类号 | B05D5/06(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种在太赫兹波段具有宽带高吸收率涂层的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取碳化硅颗粒和黑漆涂料;步骤2:将碳化硅颗粒和黑漆涂料混合,所述的碳化硅颗粒的比例为5%‑30%,黑漆涂料的比例为70%‑95%;步骤3:将混合后的碳化硅颗粒和黑漆涂料喷涂在基底材料的表面;步骤4:将喷涂有混合后的碳化硅颗粒和黑漆涂料的基底材料晾干或烘干,完成制备。 | ||
地址 | 100013 北京市朝阳区北三环东路18号 |