| 发明名称 | 提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态；以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态。根据本发明提供的提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法采用电流扫描的方式能极大地改善高阻状态的分布，从而提高电阻转变存储器参数分布的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN102610747B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201110023200.5 | 申请日期 | 2011.01.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法，其特征在于，包括：施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到电阻表示电阻转变存储器的置位态；以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到电阻表示电阻转变存储的复位态;在对所述电阻转变存储器进行置位时，对所述施加的电流扫描范围进行限定；在对所述电阻转变存储器进行复位时，对复位电压的最大值进行限制。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||