一种全背面接触晶硅电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种光伏技术领域的新型晶硅电池，具体地讲是涉及一种结合离子注入技术的全背面接触晶硅电池；本发明还涉及该电池的制备方法。全背面接触晶硅电池包括硅片基底、减反层、基极、发射极和金属栅线等，全背面接触晶硅电池的发射极和基极不在同一个平面内，能兼顾电子和空穴以很短的路径移动到发射极和基极，减少载流子电池内体复合；通过将发射极和金属栅线从正面即受光面移到背面，减少了光学损失；发射极通过离子注入的方法获得，较热扩散掺杂的方法工艺步骤少；正面和背面均有钝化层，正面还有正表面电场FSF，能减少载流子表面的复合，最终提供一种量产效率高、工艺简单的太阳能电池。

主权项

一种全背面接触晶硅电池，包括硅片基底、减反层、基极、发射极和金属栅线，其特征在于，所述全背面接触晶硅电池的发射极和基极不在同一个平面上。