沟槽中的成膜工艺方法

摘要

本发明公开了一种沟槽中的成膜工艺方法，包括步骤：1）在沟槽表面生长隔离介质层；2）涂布含硅的光刻胶，曝光显影，去除不需要保护的区域的光刻胶，然后用强氧化剂在光刻胶表面形成氧化膜并固化；3）根据沟槽底部需要淀积的膜的宽度和光刻胶的厚度，计算出淀积角度，然后以该淀积角度，在硅片上淀积一层成膜材料；4）淀积完成后去除光刻胶。本发明通过在保护区域涂布含硅的光刻胶，并以一定的角度淀积成膜，有效地避免了成膜后，光刻胶残留沟槽底部（正胶）或因沟槽底部光强不够而无法形成有效的光刻胶保护（负胶）的问题。

主权项

沟槽中的成膜工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在沟槽表面生长一层隔离介质层；2）涂布一层含硅的光刻胶，通过曝光显影，去除不需要保护的区域的光刻胶，然后用强氧化剂在光刻胶表面形成一层氧化膜并固化；3）根据沟槽底部需要淀积的膜的宽度和光刻胶的厚度，计算出淀积角度，然后以该淀积角度，在硅片上淀积一层成膜材料；4）淀积完成后去除光刻胶。