一种InP基HEMT在太赫兹频段的建模方法

摘要

本发明公开了一种InP基HEMT在太赫兹频段的建模方法，首先对加工完成的InP基HEMT器件进行直流测试，获得InP基HEMT的电流电压参数，在电路设计软件中建立低频参数包；然后结合InP基HEMT的设计版图和加工工艺，建立InP基HEMT高频仿真结构模型，在InP基HEMT栅端口和漏端口分别设置波端口激励，结合InP基HEMT的实际电路封装形式，抽取InP基HEMT寄生分量S参数包；最后在电路设计软件中建立起完整的包含寄生参量的电路模型，低频参数包和寄生分量S参数包在电路设计软件中串联，建立InP基HEMT在太赫兹频段的整体电路模型。本发明方法简单，使用方便，缩短了开发周期，降低了开发成本。

主权项

一种InP基HEMT在太赫兹频段的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，对加工完成的InP基HEMT器件进行直流测试，获得InP基HEMT在直流测试中的电流电压参数，在电路设计软件中建立电流电压参数构成的低频参数包；第二步，结合InP基HEMT的设计版图和加工工艺，在高频结构仿真软件中，建立InP基HEMT的高频仿真结构模型，在InP基HEMT的栅端口和漏端口分别设置波端口激励，结合InP基HEMT的实际电路封装形式，抽取InP基HEMT的寄生分量S参数包；第三步，在电路设计软件中建立起完整的包含寄生参量的电路模型，低频参数包和寄生分量S参数包在电路设计软件中串联，建立InP基HEMT在太赫兹频段的整体电路模型。