发明名称 一种抗辐照纳米多孔膜
摘要 本发明公开了一种抗辐照多孔纳米膜,属于先进核能材料应用领域。其具有贯通表面的纵向纳米孔道,所述纵向纳米孔道的直径大于2纳米,所述纵向纳米孔道的间距小于间隙原子和He气体的扩散距离,并且每个纵向纳米孔道上还横向生长有枝杈状纳米孔道。利用多孔纳米膜丰富孔道,可以吸收辐照所产生的间隙原子、空位、嬗变气体等缺陷,还能将气体原子释放到材料外,从而大幅度降低材料体内缺陷浓度,防止间隙原子、空位、嬗变气体的聚集形成原子团簇、空洞、气泡等,大大提高了材料的抗辐照肿胀、硬化、非晶化能力。
申请公布号 CN103903664A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201410154451.0 申请日期 2014.04.17
申请人 武汉大学 发明人 任峰;洪梦庆;张红秀;秦文静;刘丹;肖湘衡;蒋昌忠
分类号 G21F1/00(2006.01)I 主分类号 G21F1/00(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 汪俊锋
主权项 一种抗辐照纳米多孔膜,其特征在于:具有贯通表面的纵向纳米孔道,所述纵向纳米孔道的直径大于2纳米,所述纵向纳米孔道的间距小于间隙原子和He气体的扩散距离,并且每个纵向纳米孔道上还横向生长有枝杈状纳米孔道。
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学