发明名称 |
一种抗辐照纳米多孔膜 |
摘要 |
本发明公开了一种抗辐照多孔纳米膜,属于先进核能材料应用领域。其具有贯通表面的纵向纳米孔道,所述纵向纳米孔道的直径大于2纳米,所述纵向纳米孔道的间距小于间隙原子和He气体的扩散距离,并且每个纵向纳米孔道上还横向生长有枝杈状纳米孔道。利用多孔纳米膜丰富孔道,可以吸收辐照所产生的间隙原子、空位、嬗变气体等缺陷,还能将气体原子释放到材料外,从而大幅度降低材料体内缺陷浓度,防止间隙原子、空位、嬗变气体的聚集形成原子团簇、空洞、气泡等,大大提高了材料的抗辐照肿胀、硬化、非晶化能力。 |
申请公布号 |
CN103903664A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201410154451.0 |
申请日期 |
2014.04.17 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
任峰;洪梦庆;张红秀;秦文静;刘丹;肖湘衡;蒋昌忠 |
分类号 |
G21F1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G21F1/00(2006.01)I |
代理机构 |
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 |
代理人 |
汪俊锋 |
主权项 |
一种抗辐照纳米多孔膜,其特征在于:具有贯通表面的纵向纳米孔道,所述纵向纳米孔道的直径大于2纳米,所述纵向纳米孔道的间距小于间隙原子和He气体的扩散距离,并且每个纵向纳米孔道上还横向生长有枝杈状纳米孔道。 |
地址 |
430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 |