互连结构的制作方法

摘要

本发明实施例提供互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有通孔，所述通孔露出所述半导体衬底；在所述通孔内形成固态的有机保护层，所述固态的有机保护层的厚度小于所述通孔的深度；刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成沟槽，所述沟槽与所述通孔相连通；在所述沟槽形成后，去除所述有机保护层，露出所述半导体衬底；在所述沟槽和通孔内形成互连结构。本发明实施例避免刻蚀所述层间介质层形成沟槽时对所述半导体衬底造成损伤，提高了工艺的稳定性。

主权项

一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有通孔，所述通孔露出所述半导体衬底；在所述层间介质层内形成液态的有机保护层，所述液态的有机保护层至少填充满所述通孔；在第一温度下，烘烤所述液态的有机保护层，使得所述液态的有机保护层转变为准固态的有机保护层；在第二温度下，烘烤所述准固态的有机保护层，使得所述准固态的有机保护层转变为固态的有机保护层，所述第二温度大于第一温度，所述固态的有机保护层的厚度小于所述通孔的深度；刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成沟槽，所述沟槽与所述通孔相连通；在所述沟槽形成后，去除所述有机保护层，露出所述半导体衬底；在所述沟槽和通孔内形成互连结构。