| 发明名称 | 一种栅氧介质测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种栅氧介质测试结构，涉及半导体领域。它包括：基极、栅极、栅氧化层和测试衬垫，所述基极上设有所述栅氧化层，所述栅氧化层上设有所述栅极，所述栅极与一个所述测试衬垫连接本发明的栅氧介质测试结构利用短工艺流程即可实现在线栅氧制造质量的监测和栅氧可靠性的评估，排除了栅极后续制造工艺对栅氧的影响，精确地反映栅氧制造工艺的好坏；该测试结构可用于栅氧制造工艺质量的监控以及评估栅极后续制造工艺对栅氧质量的影响，为工艺的改善提供更为准确的方向。 | ||
| 申请公布号 | CN103904058A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201410106620.3 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 王小宝;陈雷刚;周柯 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种栅氧介质测试结构，包括：基极、栅极、栅氧化层和测试衬垫，所述基极上设有所述栅氧化层，所述栅氧化层上设有所述栅极，其特征在于，所述栅极与一个所述测试衬垫连接。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||