| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩膜；步骤S102：在所述硬掩膜和半导体衬底中形成浅沟槽隔离；步骤S103：在所述半导体衬底中形成超浅沟槽隔离以及位于其两侧的条状图案。本发明的半导体器件的制造方法，由于采用了先形成浅沟槽隔离，再形成超浅沟槽隔离的方式制造沟道分段的晶体管，避免了现有技术中采用双重图形技术容易造成浅沟槽隔离与超浅沟槽隔离重叠的问题，提高了半导体器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103904018A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201210568218.8 | 申请日期 | 2012.12.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩膜；步骤S102：在所述硬掩膜和半导体衬底中形成浅沟槽隔离；步骤S103：在所述半导体衬底中形成超浅沟槽隔离以及位于其两侧的条状图案。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||