发明名称 |
一种稳定脉冲射频的方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于等离子体处理腔室的稳定脉冲射频的方法,所述方法包括如下步骤:A.向等离子体反应腔室内通入反应气体;B.上电极以及下电极产生电场对反应气体进行电离,产生等离子体;C.对待加工件进行刻蚀,其中,刻蚀过程包括连续功率加工步骤和脉冲功率加工步骤,连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤交替地进行,所述脉冲功率加工步骤中,所述源射频电源以及所述偏置射频电源的频率为手动控制,以使其保持不变;其特征在于,所述步骤C还包括一转换步骤,所述转换步骤位于连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间,其在连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间互相转换的过程中锁定源射频电源的频率,以使其保持不变。 |
申请公布号 |
CN103903945A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201210567795.5 |
申请日期 |
2012.12.24 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
叶如彬;崔强;徐蕾;黄智林;浦远;倪图强 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01J37/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张龙哺;吕俊清 |
主权项 |
一种用于等离子体处理腔室的稳定脉冲射频的方法,其中,所述等离子体处理腔室包括一上电极以及一下电极,所述下电极分别连接一源射频电源以及一偏置射频电源,所述方法包括如下步骤:A.向等离子体反应腔室内通入反应气体;B.所述上电极以及所述下电极产生电场对反应气体进行电离,产生等离子体;C.对待加工件进行刻蚀,其中,刻蚀过程包括连续功率加工步骤和脉冲功率加工步骤,所述连续功率加工步骤与所述脉冲功率加工步骤交替地进行,所述脉冲功率加工步骤中,所述源射频电源以及所述偏置射频电源的频率为手动控制,以使其保持不变;其特征在于,所述步骤C还包括一转换步骤,所述转换步骤位于连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间,其在连续功率加工步骤与脉冲功率加工步骤之间互相转换的过程中锁定源射频电源的频率,以使其保持不变。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |