发明名称 一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构及其封装方法
摘要 本发明公开了一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括带有若干个芯片电极(110)的硅基本体(101),还包括绝缘层(200),所述绝缘层(200)设置于芯片电极(110)一侧的所述硅基本体(101)的表面以及所述硅基本体(101)的侧壁,所述绝缘层(200)于芯片电极(110)的正上方开设绝缘层开口(201),所述绝缘层开口(201)内设置金属凸点(400),所述金属凸点(400)与芯片电极(110)固连。本发明的封装结构有效地消除了侧壁的爬锡现象,克服了芯片尺寸封装的漏电问题,提升了器件的良率,其封装方法简洁,降低了生产成本。
申请公布号 CN103904045A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201410156161.X 申请日期 2014.04.18
申请人 江阴长电先进封装有限公司 发明人 张黎;陈锦辉;赖志明;孙超
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 彭英
主权项 一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构,包括带有若干个芯片电极(110)的硅基本体(101),其特征在于:还包括绝缘层(200),所述绝缘层(200)设置于芯片电极(110)一侧的所述硅基本体(101)的表面以及所述硅基本体(101)的侧壁,所述绝缘层(200)于芯片电极(110)的正上方开设绝缘层开口(201),所述绝缘层开口(201)内设置金属凸点(400),所述金属凸点(400)与芯片电极(110)固连。
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