一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧形成第一侧壁体；执行一热氧化过程，以在所述半导体衬底的表面形成氧化层；在所述栅极结构两侧形成覆盖所述第一侧壁体的第二侧壁体；在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽；执行一湿法清洗过程，以去除所述氧化层；蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。根据本发明，可以有效地控制所述∑状凹槽的沿衬底水平方向的最大宽度，在不影响LDD注入对于半导体器件的电学性能的改善的同时，增大形成所述∑状凹槽时实施的干法及湿法蚀刻的工艺窗口。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧形成第一侧壁体；执行一热氧化过程，以在所述半导体衬底的表面形成氧化层；在所述栅极结构两侧形成覆盖所述第一侧壁体的第二侧壁体；在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽；执行一湿法清洗过程，以去除所述氧化层；蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽。