发明名称 多功能半导体封装结构及其制作方法
摘要 一种多功能半导体封装结构及其制作方法,多功能半导体封装结构包括:一基板单元、一电路单元、一支撑单元、一半导体单元、一封装单元及一电极单元。基板单元包括一基板本体及一具有多个导电接触部的第一电子元件。电路单元包括多个设置于基板本体上的第一导电层。半导体单元包括多个第二电子元件,且每一个第二电子元件电性连接于两个相对应的第一导电层之间。封装单元包括一设置于基板本体上以覆盖多个第二电子元件的封装体。电极单元包括多个顶端电极、多个底端电极及多个设置且电性连接于多个顶端电极与多个底端电极之间的侧端电极,且每一个侧端电极电性连接于相对应的第一导电层与相对应的导电接触部。
申请公布号 CN103904047A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201210568469.6 申请日期 2012.12.24
申请人 佳邦科技股份有限公司 发明人 张怀禄;张育嘉;傅国荣
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;李静
主权项 一种多功能半导体封装结构,其特征在于,包括:一基板单元,包括一基板本体及一内埋在所述基板本体的内部的共模滤波器,其中所述基板本体具有多个第一侧端,且所述共模滤波器具有多个从所述基板本体的多个所述第一侧端外露的导电接触部;一电路单元,包括多个设置于所述基板本体的顶端上的第一导电层及多个设置于所述基板本体的顶端上的第二导电层;一半导体单元,包括多个瞬态电压抑制器,其中每一个所述瞬态电压抑制器电性连接于两个相对应的所述第一导电层之间;一封装单元,包括一设置于所述基板本体的顶端上以覆盖多个所述瞬态电压抑制器的封装体,其中所述封装体具有多个分别连接于多个所述第一侧端的第二侧端,且每一个所述第一导电层的第一末端与每一个所述第二导电层的第二末端从所述封装体的多个所述第二侧端外露;以及一电极单元,包括多个设置于所述封装体的顶端上的顶端电极、多个设置于所述基板本体的底端上的底端电极及多个设置且电性连接于多个所述顶端电极与多个所述底端电极之间的侧端电极,其中多个所述顶端电极分别对应于多个所述第一导电层与多个所述第二导电层,多个所述底端电极分别对应于多个所述顶端电极,且每一个所述侧端电极设置于所述封装体的相对应的所述第二侧端与所述基板本体的相对应的所述第一侧端上,以分别电性连接于相对应的所述第一导电层的所述第一末端、相对应的所述第二导电层的所述第二末端及相对应的所述导电接触部。
地址 中国台湾