发明名称 |
单晶碳的制作方法及系统 |
摘要 |
本发明公开了一种单晶碳的制作方法及系统,涉及金刚石的制作方法技术领域。包括以下步骤:1)将碳源加热,产生含有高温碳原子的气体,然后将上述气体使用冷却装置进行冷却;2)将冷却后含有碳原子的气体进行干燥和去杂质处理,得到只含有碳原子的气体;3)将经过步骤2)处理后的气体经过电场进行加速,并通过磁场将加速后的碳原子定向发射至靶,所述靶使用单晶硅制作,且靶周围温度能够使碳原子与其结晶。使用所述方法能够制造大颗粒的单晶碳,降低了相关产品的制造成本。 |
申请公布号 |
CN103898604A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201410094199.9 |
申请日期 |
2014.03.14 |
申请人 |
张志东 |
发明人 |
张志东 |
分类号 |
C30B29/04(2006.01)I;C30B23/08(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/04(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
米文智 |
主权项 |
一种单晶碳的制作方法,其特征在于包括以下步骤:1)将碳源加热,产生含有高温碳原子的气体,然后将上述气体使用冷却装置进行冷却;2)将冷却后含有碳原子的气体进行干燥和去杂质处理,得到只含有碳原子的气体;3)将经过步骤2)处理后的气体经过电场进行加速,并通过磁场将加速后的碳原子定向发射至靶,所述靶使用单晶硅制作,且靶周围温度能够使碳原子与其结晶。 |
地址 |
056003 河北省邯郸市丛台区北海庄园4-2-3号 |