TCAT结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种TCAT结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底及衬垫层；在衬垫层顶部光刻出源线图案并刻蚀出凹槽；在凹槽中淀积第一材料以形成源线牺牲层；在衬垫层之上交替淀积第二材料和第三材料以形成绝缘层和控制栅牺牲层的叠层结构；在叠层结构中形成多个垂直刻蚀孔，垂直刻蚀孔的底部与源线牺牲层接触；向多个垂直刻蚀孔中填充多晶硅以形成多个垂直导电通道；在叠层结构中刻蚀沟槽，以将控制栅牺牲层的侧面暴露出来；去除控制栅牺牲层；淀积形成电荷俘获复合层，电荷俘获复合层覆盖绝缘层和导电通道的表面；去除源线牺牲层；淀积金属栅极材料以形成控制栅极以及金属源线。本发明可以得到具有金属源极的TCAT结构，电学性能良好。

主权项

一种TCAT结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底上形成衬垫层；在所述衬垫层顶部光刻出源线图案并刻蚀出凹槽；在所述凹槽中淀积第一材料以形成源线牺牲层；在所述衬垫层之上交替淀积第二材料和第三材料以形成绝缘层和控制栅牺牲层的叠层结构；在所述叠层结构中形成多个垂直刻蚀孔，所述垂直刻蚀孔的底部与所述源线牺牲层接触；向所述多个垂直刻蚀孔中填充多晶硅以形成多个垂直导电通道；在所述叠层结构中刻蚀中央沟槽，以将所述控制栅牺牲层的侧面暴露出来；去除所述控制栅牺牲层；淀积形成电荷俘获复合层，所述电荷俘获复合层覆盖所述绝缘层和所述导电通道的表面；去除所述源线牺牲层；淀积金属栅极材料以形成控制栅极以及金属源线。