一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺

摘要

本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝下的工艺流程，通过在载体圆片（carrierwafer）上制作金属层，然后按芯片的排列位置开通孔（或者直接将开好通孔的金属层粘在载体圆片上）；将芯片正面朝下贴放于金属层的开槽内，再进行塑封工艺。从而改变扇出型晶圆级封装（fanoutWLP）的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆（wafer）的翘曲（warpage）以及因塑封料（EMC）涨缩引起的滑移、错位（shift）得到控制；并且金属材料可起到更好的热传导及电磁屏蔽作用。

主权项

一种扇出型晶圆级封装结构，包括带有第一金属电极（102a）和第二金属电极（102b）的芯片（100）和金属层（203），其特征是：所述芯片（100）和金属层（203）通过塑封材料（501）塑封成一个整体，并且芯片（100）的正面（100a）和金属层（203）的一表面（203a）与塑封材料（501）的正面（501a）位于同一平面上；在所述塑封材料（501）的正面（501a）设置介电层（901），介电层（901）中布置再布线金属走线层（1101）和凸点下金属层（1201），凸点下金属层（1201）上置焊球（1301），再布线金属走线层（1101）连接第一金属电极（102a）、第二金属电极（102b）以及凸点下金属层（1201）。