发明名称 |
一种基于纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜的制备方法,以SiO<sub>2</sub>纳米多层中空胶囊为基底,结合旋涂技术将TiO<sub>2</sub>和GO组装到SiO<sub>2</sub>纳米多层中空胶囊表面,制备一维光子晶体薄膜的方法。本发明以层层自组装法制备的纳米多层中空胶囊为基底,通过中空胶囊形态的改变,引起更大幅度的光子禁带的移动,从而提升一维光子晶体检测的灵敏度,因而制备出的基于纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜比普通一维光子晶体薄膜更为灵敏。本发明方法简单有效,操作简便,且所需时间较短。 |
申请公布号 |
CN103896627A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201410073201.4 |
申请日期 |
2014.02.28 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
葛丽芹;任姣雨;姚翀;朱彦熙 |
分类号 |
C04B41/85(2006.01)I;C04B41/89(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/85(2006.01)I |
代理机构 |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 |
代理人 |
冯慧 |
主权项 |
一种基于纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜的制备方法,其特征在于,以SiO<sub>2</sub>纳米多层中空胶囊为基底,包括如下步骤:步骤一、利用层层自组装法制备SiO<sub>2</sub>纳米多层中空胶囊;步骤二、硅片洗净吹干,利用旋涂法将步骤一制备的SiO<sub>2</sub>纳米多层中空胶囊固定在硅片表面,得到一维光子晶体薄膜的基底,其中,旋涂转速为3000~6000rpm,旋涂时间为30s~1min;步骤三、分别制备TiO<sub>2</sub>胶体溶液和GO胶体溶液,其中,TiO<sub>2</sub>胶体溶液浓度为7.8~39mg/ml,GO胶体溶液浓度为0.1~0.5mg/ml;步骤四、利用旋涂法逐层将步骤三制备的TiO<sub>2</sub>胶体溶液和GO胶体溶液涂到步骤二制备的基底表面,得到所述基于SiO<sub>2</sub>纳米多层中空胶囊一维光子晶体薄膜,其中,每层旋涂转速为3000~6000rpm,旋涂时间为30s~1min。 |
地址 |
211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 |