| 发明名称 | 在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E-4至1E-7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。 | ||
| 申请公布号 | CN103903961A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201410145622.3 | 申请日期 | 2014.04.11 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 叶青;傅云义;郭剑;贾越辉;魏子钧;张亮;任黎明;黄如;张兴 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法，包括以下步骤：(1)选取表面平整的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；(2)将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E‑4至1E‑7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；(3)扫描过程中在基底样品表面淀积上一层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；(4)将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||