硅膜的成膜方法以及成膜装置

摘要

本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜，其具备：将该基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成晶种层的工序；以及，将基底加热，在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在晶种层上形成硅膜的工序，前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。

主权项

一种硅膜的成膜方法，其为在基底上形成包含硅膜的膜的成膜方法，具备：将所述基底加热，在所述加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在所述基底表面上形成晶种层的工序；以及将所述基底加热，在所述加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在所述晶种层上形成硅膜的工序，所述形成晶种层的工序所使用的所述氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。