发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供半导体装置,具备基板、配列在所述基板上的安装区域的多个第1半导体元件和至少一个第2半导体元件、形成在所述基板上且向所述半导体元件供电的外部电极、以及由形成在所述安装区域的周围的反射性构件构成的框体。由连接第1半导体元件的正负一对第1外部电极以及连接第2半导体元件的正负一对第2外部电极构成,沿安装区域的周缘部,第1外部电极被形成为位于比一对第2外部电极的至少一方或与第2外部电极连接的布线靠近外侧,连接第1半导体元件的电极和第1外部电极的接合线使框体的一部分介于其与连接一对第2外部电极的一方之间或和第2外部电极的布线之间,并且跨过一对第2外部电极的至少一方或与第2外部电极连接的布线进行连接。
申请公布号 CN103904206A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201310728085.0 申请日期 2013.12.25
申请人 日亚化学工业株式会社 发明人 冈祐太
分类号 H01L33/62(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 舒艳君;李洋
主权项 一种半导体装置,是具备基板、配列在所述基板上的安装区域的多个第1半导体元件和第2半导体元件、形成在所述基板上且向所述半导体元件供电的外部电极、以及由形成在所述安装区域的周缘部的反射性构件构成的框体,该半导体装置的特征在于,所述外部电极由与所述第1半导体元件连接的正负一对第1外部电极、以及与所述第2半导体元件连接的正负一对第2外部电极构成,沿所述安装区域的周缘部,第1外部电极形成为位于比一对第2外部电极的至少一方或者与第2外部电极电连接的布线靠近外侧,电连接第1半导体元件的电极和第1外部电极的接合线是以跨过一对第2外部电极的至少一方或者与第2外部电极电连接的布线的方式进行连接的,所述框体的一部分介于该接合线与一对第2外部电极的至少一方之间或者该接合线与和第2外部电极电连接的布线之间。
地址 日本德岛县