发明名称 |
在多频等离子体处理腔室中实现阻抗匹配的方法和装置 |
摘要 |
本发明提供一种在多频等离子体处理腔室中实现阻抗匹配的方法和装置,其中,所述等离子体处理腔室包括一下电极,下电极上分别连接有第一射频功率源和第二射频功率源,所述第一射频功率源为脉冲调制输出,所述方法包括:获取所述第一射频功率源的功率输出的第一即时功率值和第二即时功率值;根据所述第一即时功率值和第二即时功率值来控制反射功率在所述第一射频功率源达到每个所述第一即时功率值和第二即时功率值时进行采样;根据所述反射功率的采样来对腔室内的阻抗进行匹配。 |
申请公布号 |
CN103903944A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201210567553.6 |
申请日期 |
2012.12.24 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
梁洁;饭塚浩 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张龙哺;吕俊清 |
主权项 |
一种在多频等离子体处理腔室中实现阻抗匹配的方法,其中,所述等离子体处理腔室包括一下电极,下电极上分别连接有第一射频功率源和第二射频功率源,所述第一射频功率源为脉冲调制输出,其中,所述方法包括如下步骤:获取所述第一射频功率源的功率输出的第一即时功率值和第二即时功率值;根据所述第一即时功率值和第二即时功率值来控制反射功率在所述第一射频功率源达到每个所述第一即时功率值和第二即时功率值时进行采样;根据所述反射功率的采样来对腔室内的阻抗进行匹配。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |