发明名称 磁控溅射镀膜装置
摘要 本发明提供一种磁控溅射镀膜装置,包括真空室体、形成于该真空室体内的真空室、设置于真空室内的至少一磁控靶,该磁控溅射镀膜装置还包括设置于该真空室内与所述磁控靶一一对应的屏蔽装置,每一屏蔽装置包括二屏蔽罩,该二屏蔽罩对称设置于相应的磁控靶的两侧,以遮挡镀膜时磁控靶的散射粒子,避免散射粒子绕镀至工件不需要镀膜的部分。
申请公布号 CN103898462A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201210588533.7 申请日期 2012.12.29
申请人 深圳富泰宏精密工业有限公司 发明人 张春杰
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种磁控溅射镀膜装置,包括真空室体、形成于该真空室体内的真空室、设置于真空室内的至少一磁控靶,其特征在于:该磁控溅射镀膜装置还包括设置于该真空室内与所述磁控靶一一对应的屏蔽装置,每一屏蔽装置包括二屏蔽罩,该二屏蔽罩对称设置于相应的磁控靶的两侧,以遮挡镀膜时磁控靶的散射粒子。
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