一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装结构

摘要

本发明公开了一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，属于半导体技术领域。本发明包括自上而下依次密封连接的底座、LTCC基板、密封环以及盖板；底座的凸台；LTCC基板绕凸台四周设置，且由上下排列的、上表面都涂有金属层的信号传输层和陶瓷腔体层组成，信号传输层其中一对相对的两边为传输射频信号的SIW结构；密封环位于陶瓷腔体层的上部，盖板位于密封环的上方。本发明克服了现有技术中陶瓷管壳封装在毫米波损耗大的缺陷，并且适用频率越高，封装的损耗越小，达到了解决毫米波段微波单片集成电路、尤其是功放电路的密封性问题；重要的是本发明的实现工艺简单、便于加工，可间接带来较大的经济效益，具有较佳的推广前景。

主权项

一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于包括自上而下依次密封连接的底座（6）、LTCC基板、密封环（2）以及盖板（1）；其中底座（6）的中央设有烧结毫米波芯片的凸台（3）；LTCC基板绕凸台（3）四周设置，且由上下排列的陶瓷腔体层（4）和信号传输层（5）组成，陶瓷腔体层（4）和信号传输层（5）的上表面都涂有金属层，所述信号传输层（5）其中一对相对的两边为传输射频信号的SIW结构；密封环（2）位于陶瓷腔体层（4）的上部； 盖板（1）位于密封环（2）的上方，两者密封配合。