| 发明名称 | 肖特基势垒二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及—种肖特基二极管，包括：设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的n-型外延层；设置在n-型外延层内，且设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的第一部分上的多个n型柱区；设置在n-型外延层内，且在垂直于n型柱区的方向上延伸的p型区域；多个P+区域，n-型外延层被设置在其表面，且它们与n型柱区和p型区域分隔；设置在n-型外延层和P+区域上的肖特基电极；设置在n+型碳化硅衬底的第二表面的欧姆电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103904131A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201310757047.8 | 申请日期 | 2013.12.12 |
| 申请人 | 现代自动车株式会社 | 发明人 | 李钟锡;洪坰国;千大焕;郑永均 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;彭益群 |
| 主权项 | 一种肖特基势垒二极管，包括：n‑型外延层，被设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；多个n型柱区，被设置在所述n‑型外延层内，且被设置在所述n+型碳化硅衬底的第一表面的第一部分上；p型区域，设置在所述n‑型外延层内，且在垂直于所述n型柱区的方向上延伸；多个P+区域，其中所述n‑型外延层被设置在其表面，且与所述n型柱区和p型区域分开；肖特基电极，设置在所述n‑型外延层和所述P+区域上；欧姆电极，设置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中所述p型区域被设置在所述n型柱区的上表面和所述n+型碳化硅衬底的第一表面之间。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||