| 发明名称 | 一种钕铁硼永磁材料及制备方法与磁场辅助直接铸造装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种钕铁硼永磁材料及制备方法与磁场辅助直接铸造装置，该装置的主磁体为辐射状充磁的圆环形磁体；主磁体中心下方设有一块磁场方向为轴向向上的圆盘形的第一排斥磁体，第一排斥磁体外周设有辐射状充磁的圆环形的第二排斥磁体；主磁体上端设有调控磁体，在调控磁体上方设有第二软铁，在调控磁体的外侧设有第一软铁，主磁体外侧设有一个沿轴向向下充磁的圆环形的磁体引导磁体。该钕铁硼永磁材料的化学通式为：[Nd<sub>(85-x-y)</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>y</sub>Al<sub>z</sub>B<sub>(15-z)</sub>]<sub>(100-a)</sub>M<sub>a</sub>，式中30≤x+y≤70，0≤z≤10，a≤4。该材料相对不加磁场制备的材料磁性能提升较大，并且制备工艺简单、成本较低、产品密实，适合于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103894587A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201410105368.4 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 刘仲武;赵利忠;郑志刚;李伟;王刚;钟喜春;余红雅;曾德长 |
| 分类号 | B22D27/02(2006.01)I;H01F7/00(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I | 主分类号 | B22D27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 蔡茂略 |
| 主权项 | 钕铁硼永磁材料的磁场辅助直接铸造装置，其特征在于，包括第一排斥磁体、第二排斥磁体、磁体引导磁体、主磁体、调控磁体、第一软铁和第二软铁；所述主磁体为辐射状充磁的圆环形磁体；主磁体中心下方设有一块磁场方向为轴向向上的圆盘形的第一排斥磁体，第一排斥磁体外周设有辐射状充磁的圆环形的第二排斥磁体；主磁体上端设有调控磁体，调控磁体的磁场方向为沿轴向向下；在调控磁体上方设有第二软铁，在调控磁体的外侧设有第一软铁，主磁体外侧设有一个沿轴向向下充磁的圆环形的磁体引导磁体；第二软铁、调控磁体、主磁体中心的圆柱形空腔结构直径相同；空腔结构中从第二软铁、调控磁体到主磁体长度40mm‑100mm长的区域为目标区域；目标区域获得一个轴向磁场，平均值大小为0.7T‑1.2T。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||