发明名称 半导体装置
摘要 半导体装置具有半导体基板,半导体基板具有布置于其上表面上的多个垫电极并且具有近似矩形形状;再配线层,再配线层被设置有连接至多个垫电极上的多个接触配线,再配线层被通过绝缘膜布置于半导体基板上并且具有近似矩形形状;以及布置于再配线层上的多个球电极。所述多个垫电极中的多个第一垫电极被沿半导体基板的第一边布置于半导体基板的外周上,所述多个球电极中的多个第一球电极被沿第一边布置于再配线层的外周上,并且所述多个第一球电极的任何一个通过接触配线被连接至放置于相应球电极下面的第一垫电极上,并且第一垫电极不被布置于放置于第一边端部的第一球电极下面。
申请公布号 CN102270611B 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201110070496.6 申请日期 2011.03.21
申请人 株式会社东芝 发明人 濑田涉二;井熊秀明
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 蔡胜利
主权项 一种半导体装置,包括:半导体基板,其具有布置于其上表面上的多个垫电极并且具有近似矩形形状;再配线层,其被设置有连接至所述多个垫电极上的多个接触配线,所述再配线层被通过绝缘膜布置于所述半导体基板上;以及多个球电极,它们被布置于所述再配线层上;其中,所述多个垫电极中的多个第一垫电极被沿所述半导体基板的第一边布置于所述半导体基板的外周上;所述多个球电极中的多个第一球电极被沿所述第一边布置于所述再配线层的外周上;所述多个第一球电极被通过所述接触配线连接至放置于相应球电极下面的所述第一垫电极上,并且所述第一垫电极没有被布置于放置于所述第一边端部的所述第一球电极下面;并且所述半导体装置还包括外周配线,其被沿所述第一边布置于所述再配线层的外周上,所述外周配线与第一垫电极上侧的再配线层的区域相比更靠近再配线层的外面。
地址 日本东京都