发明名称 光电转换装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备:基板(1);设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2);设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33);设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8);设置于光电转换层(33)上的上部电极(5);在多个光电转换层(33)之间,未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。
申请公布号 CN102246316B 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201080003522.7 申请日期 2010.09.29
申请人 京瓷株式会社 发明人 西村太佑;菅原利文;西浦宪;松岛德彦;猪股洋介;有宗久雄;上杉刚志
分类号 H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L27/142(2014.01)I 主分类号 H01L31/0749(2012.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 蒋亭
主权项 一种光电转换装置,其特征在于,具有:基板;设置于所述基板上且包含金属元素的多个下部电极;分别设置于所述多个下部电极上且包含硫属化合物半导体的多个光电转换层;分别设置于所述多个光电转换层上的多个上部电极;以及在相邻的所述光电转换层之间,将一方的所述上部电极与另一方的所述下部电极电连接的连接导体,其中,所述连接导体在设置于所述光电转换层内的细长形状的间隙部中配置,并具有经由第一金属硫属化合物层与另一方的所述下部电极连接的位于所述下部电极上的第一连接部和未经由所述第一金属硫属化合物层而与另一方的所述下部电极连接的位于所述下部电极上的第二连接部,所述第一金属硫属化合物层包含所述金属元素及所述硫属化合物半导体所含有的硫属元素,所述第一金属硫属化合物层以沿着所述间隙部的长度方向的方式设置在沿着所述长度方向的端部。
地址 日本京都府