发明名称 光电转换装置和照相机
摘要 本发明涉及光电转换装置和照相机。该光电转换装置包括像素区,该像素区具有光电转换器和用于将在该光电转换器中的电荷传送到浮置扩散的传送MOS晶体管,该光电转换装置包括:第一绝缘膜,该第一绝缘膜被连续地布置为覆盖该光电转换器、以及该传送MOS晶体管的栅极电极的第一侧表面和上表面的第一区域,而没有被布置在该上表面的第二区域上,该第一绝缘膜被配置为用作抗反射膜;与该浮置扩散连接的接触塞;以及第二绝缘膜,该第二绝缘膜被连续地布置为覆盖该浮置扩散上的接触塞的周边、以及第二侧表面和第二区域,而没有被布置在第一区域上,该第二绝缘膜被配置为在形成该接触塞中用作刻蚀停止体。
申请公布号 CN102254921B 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201110123535.4 申请日期 2011.05.13
申请人 佳能株式会社 发明人 板桥政次
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I;G03B19/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 欧阳帆
主权项 一种包括像素区的光电转换装置,所述像素区具有光电转换器和用于将由所述光电转换器产生的电荷传送到浮置扩散的传送MOS晶体管,所述装置包括:第一绝缘膜,所述第一绝缘膜被连续地布置为覆盖所述光电转换器、所述传送MOS晶体管的栅极电极的第一侧表面、以及所述栅极电极的上表面的第一区域,而没有被布置在所述栅极电极的上表面的第二区域上,所述第一绝缘膜被配置为用作抗反射膜;与所述浮置扩散连接的接触塞;以及第二绝缘膜,所述第二绝缘膜被连续地布置为覆盖所述浮置扩散上的接触塞的周边、以及所述栅极电极的第二侧表面和第二区域,而没有被布置在所述第一区域上,所述第二绝缘膜被配置为在形成所述接触塞时用作刻蚀停止体。
地址 日本东京