发明名称 |
一种提高材料抗氧化烧蚀性能的表面微结构制备方法 |
摘要 |
一种提高材料抗氧化烧蚀性能的表面微结构制备方法,属于工程材料、结构形变及力学实验技术领域。本发明的技术特点是通过在抛光的材料基体表面附着一定尺寸的碳化硅纤维或碳化硅纤维束,通过化学沉淀后用激光刻蚀方法在材料表面制备出微结构图样。通过控制碳化硅纤维或碳化硅纤维束的尺寸以及激光刻蚀功率,可以得到不同深宽比的表面微结构槽道。该槽道在高温烧蚀条件下能盛装材料表面生成的液态反应物,阻止其被高速气流冲刷流失,进而阻隔燃气、氧气向基体内部扩散,从而提高材料的高温抗氧化烧蚀性能。该发明是基于具体实验分析结果得到,可通过增强材料的高温抗氧化烧蚀性能来提高材料结构件的高温服役时间及高温服役性能。 |
申请公布号 |
CN103145445B |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201310092562.9 |
申请日期 |
2013.03.21 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
冯雪;方旭飞 |
分类号 |
C04B41/80(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/80(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
邸更岩 |
主权项 |
一种提高材料抗氧化烧蚀性能的表面微结构制备方法,所述材料以碳化硅或碳‑碳化硅为基体,其特征在于该方法包括如下步骤:1)对碳化硅或碳‑碳化硅基体表面进行抛光;2)将碳化硅纤维或碳化硅纤维束布置、粘接在抛光的基体表面,得到附着有碳化硅纤维或碳化硅纤维束的基体;3)将步骤2)中的带有碳化硅纤维或碳化硅纤维束的基体置于化学气相沉积室中,对表面进行碳化硅的化学气相沉积;4)对步骤3)中得到的材料表面进行激光刻蚀,得到宽度为100μm,深宽比为1:1,或宽度为100μm,深宽比为1.5:1的槽道的表面微结构。 |
地址 |
100084 北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |