化学气相淀积装置中硅基气体的控制方法

摘要

本发明提供一种化学气相淀积（ChemicalVaporDeposition，CVD）装置中硅基气体的控制方法，属于半导体制造技术领域。在该控制方法中，在CVD装置的腔体气阀打开前，排气气路的排气阀在开始对CVD装置的腔体中的晶圆加热时、或者在对CVD装置的腔体中的晶圆加热中被打开，以延长打开所述排气阀与打开所述腔体气阀之间的时间段。

主权项

一种化学气相淀积装置中硅基气体的控制方法，其中，所述化学气相淀积装置的气路控制装置包括：流量控制气路；与所述流量控制气路相通的排气气路；以及与所述流量控制气路相通的入腔气路；所述流量控制气路上设置流量控制装置和出口阀，所述排气气路上设置排气阀，所述入腔气路上设置腔体气阀；其特征在于，在所述腔体气阀打开前，所述排气阀在开始对所述化学气相淀积装置的腔体中的晶圆加热时、或者在对所述化学气相淀积装置的腔体中的晶圆加热中被打开，以延长打开所述排气阀与打开所述腔体气阀之间的时间段。