LDMOS晶体管、布局方法和制作方法

摘要

本发明提供了一种LDMOS晶体管的结构、制作方法及其布局方法，所述结构包括：衬底；位于衬底内的第一掺杂阱和第二掺杂阱；栅极结构，位于所述第一掺杂阱和第二掺杂阱上方；包围所述第一掺杂阱和第二掺杂阱的第一隔离结构；第二隔离结构，所述第二隔离结构的一侧与所述栅极结构相邻，所述第二隔离结构有相对的两端与所述第一隔离结构相连接；源区，位于所述第一掺杂阱内，所述源区内形成有第三隔离结构，用于增大所述源区电阻；漏区，位于所述第一隔离结构与第二隔离结构之间的第二掺杂阱内；层间介质层，位于所述衬底表面；位于层间介质层内的源区插塞和漏区插塞。本发明保证了LDMOS晶体管能够被正常开启。

主权项

一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂阱，位于所述衬底内；第二掺杂阱，位于所述衬底内，所述第二掺杂阱与所述第一掺杂阱相邻；栅极结构，位于所述第一掺杂阱和第二掺杂阱上方，且所述栅极结构部分覆盖所述第一掺杂阱和第二掺杂阱；第一隔离结构，位于所述衬底内，且所述第一隔离结构包围所述第一掺杂阱和第二掺杂阱；第二隔离结构，位于所述第二掺杂阱内，所述第二隔离结构的一侧与所述栅极结构相邻，所述第二隔离结构有相对的两端与所述第一隔离结构相连接；源区，位于所述第一掺杂阱内，所述源区内形成有第三隔离结构，所述第三隔离结构用于增大所述源区电阻，所述第三隔离结构由平行于沟道区长度方向排布的多条第一叉指、平行于沟道区长度方向排布的多条第二叉指和平行于沟道区宽度方向的叉指连接部构成，所述叉指连接部位于所述第一叉指、第二叉指与所述沟道区之间，所述叉指连接部的沿沟道区宽度方向的一端与所述第一隔离结构相连接，所述叉指连接部的沿沟道区宽度方向的另一端与第一隔离结构之间为部分源区；所述叉指连接部的沿沟道区长度方向的一端与沟道区相邻，所述叉指连接部的沿沟道区长度方向的另一端与所述第一叉指的沿沟道区长度方向的一端相连接，所述第一叉指沿沟道区长度方向的另一端与所述第一隔离结构之间为部分源区；所述第二叉指与所述第一叉指交叉排布，且所述第二叉指的沿沟道区长度方向的一端与所述第一隔离结构相连接，所述第二叉指的沿沟道区长度方向的另一端与所述叉指连接部之间为部分源区；所述第一叉指、第二叉指、叉指连接部使得所述源区被划分为多个部分，且多个部分呈弓字排列，所述源区仅有一端与所述沟道区电连接；漏区，位于所述第一隔离结构与第二隔离结构之间的第二掺杂阱内；层间介质层，位于所述衬底表面；源区插塞，位于源区表面的层间介质层内；漏区插塞，位于漏区表面的层间介质层内。