通过使用有槽的衬底的低翘曲晶片结合

摘要

在晶片结合工艺中，两个晶片衬底其中之一或二者在结合之前被刻划。通过在衬底中形成槽，在结合期间晶片的特性类似于较薄晶片的特性，由此减小由于与每个晶片关联的CTE特性的差异引起的可能翘曲。优选地，形成与切割/划片图案一致的多个槽，使得所述多个槽将不存在于经切割的封装中，由此保留完整厚度衬底的结构特性。

主权项

一种结构，包括：第一半导体晶片，以及第二晶片，所述第二晶片结合到所述第一晶片，其中所述第一晶片和第二晶片至少其一被刻划形成有多个槽，所述槽布置成减小所结合的结构的翘曲。