发明名称 一种HIT太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明一种HIT太阳能电池,该电池的组成包括P型多晶硅衬底(P p-Si),在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层(i a-Si:H)、N型氢化非晶硅层(N a-Si:H)和第一透明导电薄膜层,透明导电薄膜层上面为正面电极;在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层(i a-Si:H)、P型氢化非晶硅层(P a-Si:H)和第二透明导电薄膜层,第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本,且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底,可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。
申请公布号 CN103904151A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201410161505.6 申请日期 2014.04.22
申请人 河北工业大学 发明人 陈贵锋;王弘;张辉;曹哲;张浩恩;张娇;贾少鹏;罗鸿志
分类号 H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/0747(2012.01)I
代理机构 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人 赵凤英
主权项 一种HIT太阳能电池,其特征为该电池的组成包括P型多晶硅衬底(P p‑Si),在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层(i a‑Si:H)、N型氢化非晶硅层(N a‑Si:H)和第一透明导电薄膜层,透明导电薄膜层上面为正面电极;在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层(i a‑Si:H)、P型氢化非晶硅层(P a‑Si:H)和第二透明导电薄膜层,第二透明导电薄膜层下面为背面电极;所述的正面电极为铝栅电极;所述的背面电极为铝栅电极。
地址 300401 天津市北辰区双口镇西平道5340号河北工业大学
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