发明名称 |
一种HIT太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明一种HIT太阳能电池,该电池的组成包括P型多晶硅衬底(P p-Si),在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层(i a-Si:H)、N型氢化非晶硅层(N a-Si:H)和第一透明导电薄膜层,透明导电薄膜层上面为正面电极;在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层(i a-Si:H)、P型氢化非晶硅层(P a-Si:H)和第二透明导电薄膜层,第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本,且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底,可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。 |
申请公布号 |
CN103904151A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201410161505.6 |
申请日期 |
2014.04.22 |
申请人 |
河北工业大学 |
发明人 |
陈贵锋;王弘;张辉;曹哲;张浩恩;张娇;贾少鹏;罗鸿志 |
分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I |
代理机构 |
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 |
代理人 |
赵凤英 |
主权项 |
一种HIT太阳能电池,其特征为该电池的组成包括P型多晶硅衬底(P p‑Si),在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层(i a‑Si:H)、N型氢化非晶硅层(N a‑Si:H)和第一透明导电薄膜层,透明导电薄膜层上面为正面电极;在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层(i a‑Si:H)、P型氢化非晶硅层(P a‑Si:H)和第二透明导电薄膜层,第二透明导电薄膜层下面为背面电极;所述的正面电极为铝栅电极;所述的背面电极为铝栅电极。 |
地址 |
300401 天津市北辰区双口镇西平道5340号河北工业大学 |