发明名称 |
单层式陶瓷电容器及其介质基材结构 |
摘要 |
一种单层式陶瓷电容器的介质基材结构包括:基材主体,其具有上表面、相对的下表面以及连接上表面和下表面的侧表面,其中基材主体具有长轴和短轴,其中长轴与短轴的比值大于1;以及第一凹槽和第二凹槽分别形成于上表面与下表面上。还提供了一种包括上述介质基材结构的单层式陶瓷电容器。通过改变介质基板结构以满足电子装置高可靠度的需求。 |
申请公布号 |
CN203690113U |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201320649722.0 |
申请日期 |
2013.10.21 |
申请人 |
炳轩科技股份有限公司;增智电子股份有限公司;成功工业(惠州)有限公司 |
发明人 |
纪彦珏;邱垂成;莊天云 |
分类号 |
H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 |
代理人 |
陈波;吴立 |
主权项 |
一种单层式陶瓷电容器的介质基材结构,其特征在于,包括: 基材主体,该基材主体具有上表面、相对于该上表面的下表面以及连接该上表面和该下表面的侧表面,其中 所述基材主体具有长轴和短轴,且该长轴与该短轴的比值大于1; 第一凹槽,该第一凹槽形成于所述上表面上;以及 第二凹槽,该第二凹槽形成于所述下表面上。 |
地址 |
中国台湾桃园县中坜市英士二街12号6F |