发明名称 |
用于磁共振成像MRI系统的致冷器和方法 |
摘要 |
本发明公开一种用于磁共振成像MRI系统的致冷器和方法。所述致冷器包括其中具有真空的真空壳体。致冷剂容器设置在所述壳体内,所述容器具有内置其中的冷却剂。隔热罩设置在所述真空壳体与所述致冷剂容器之间。涡流补偿组件设置在所述壳体内。所述涡流补偿组件包括多个导电环,所述导电环形成于所述真空壳体、所述致冷剂容器以及所述隔热罩中的一个上,并且构建用于减少所述MRI系统中由振动引起的涡流。 |
申请公布号 |
CN103901371A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201310722522.8 |
申请日期 |
2013.12.24 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
W.沈;T.J.黑文斯;江隆植;S.萨哈;B.J.格罗内迈尔;V.K.莫加塔达卡拉 |
分类号 |
G01R33/38(2006.01)I;G01R33/387(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/38(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
叶晓勇;汤春龙 |
主权项 |
一种用于磁共振成像MRI系统的致冷器,所述致冷器包括:其中具有真空的真空壳体;设置在所述壳体内的致冷剂容器,所述容器内具有冷却剂;隔热罩,所述隔热罩设置在所述真空壳体与所述致冷剂容器之间;以及设置在所述壳体内的涡流补偿组件,所述涡流补偿组件包括多个导电环,所述导电环形成于所述真空壳体、所述致冷剂容器以及所述隔热罩中的一个上,并且构建用于减少所述MRI系统中由振动引起的涡流。 |
地址 |
美国纽约州 |