| 发明名称 | 对包含银纳米线的基质的选择性蚀刻 | ||
| 摘要 | 本发明涉及对在柔性塑料子结构或固体玻璃片上包含AgNW(银纳米线)或CNT(碳纳米管)或者包含AgNW和CNT的混合物的聚合物基质进行选择性结构化的方法。方法还包括适合的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物允许以大规模生产实施所述方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103907216A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201280052467.X | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 默克专利股份有限公司 | 发明人 | W·斯托库姆;O·多尔;I·科勒;C·马图舍克 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L33/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈晰 |
| 主权项 | 对在塑料或玻璃子结构上包含银纳米线(AgNW)和/或碳纳米管(CNT)的聚合物基质进行选择性蚀刻的方法，其包括以下步骤：a)将基于酸性的蚀刻糊印刷到复合材料的表面上，所述复合材料包含具有银纳米线的聚合物基质和塑料基底或玻璃片，b)在加热或不加热的情况下进行预定时间(固定的停留时间)的蚀刻以及c)清洁基底。 | ||
| 地址 | 德国达姆施塔特 | ||