| 发明名称 | 具有双重功函数栅叠层的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底之上形成栅介质层；在该栅介质层之上形成含金属层，该含金属层含有有效功函数调节物质；在该含金属层之上形成抗反应层；增大该含金属层中所含的该有效功函数调节物质的量；以及通过刻蚀该抗反应层、该含金属层与该栅介质层而在该衬底上形成栅叠层。 | ||
| 申请公布号 | CN103904029A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201310741172.X | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 池连赫;张世亿;李承美;金炯澈 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成栅介质层；在所述栅介质层之上形成含金属层，所述含金属层含有有效功函数调节物质；在所述含金属层之上形成抗反应层；增大所述含金属层中所含的所述有效功函数调节物质的量；以及通过刻蚀所述抗反应层、所述含金属层以及所述栅介质层而在所述衬底上形成栅叠层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||