| 发明名称 | NOR闪存的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种NOR闪存的制造方法。该方法包括：提供前端结构，所述前端结构包括浅沟槽隔离和图形化的浮栅；利用干法刻蚀工艺对所述浅沟槽隔离进行回刻，去除位于浮栅之间的部分；形成ONO层及控制栅。本发明中利用干法刻蚀，避免了回刻时的侧向过度刻蚀，从而使得浅沟槽隔离具有较佳的形貌，优化了栅耦合系数。 | ||
| 申请公布号 | CN103904036A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201410137219.6 | 申请日期 | 2014.04.04 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 周俊;黄建冬;洪齐元 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种NOR闪存的制造方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括浅沟槽隔离和图形化的浮栅；利用干法刻蚀工艺对所述浅沟槽隔离进行回刻，去除位于浮栅之间的部分；形成ONO层及控制栅。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||