| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备MOSFET(1)的方法，包括：制备碳化硅衬底(10)的步骤；形成与衬底(10)进行欧姆接触的漏电极(51)的步骤；以及形成与漏电极(51)的顶部接触的背表面焊盘电极(80)的步骤。在漏电极(51)形成步骤中，形成包括含有Ti和Si的合金的漏电极(51)。而且，所形成的背表面焊盘电极(80)被维持在300℃或更低的温度，直至MOSFET(1)制备完成。该配置使得能够条制备工艺的效率，同时实现电极间良好的粘附性。 | ||
| 申请公布号 | CN103907176A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201280053287.3 | 申请日期 | 2012.05.22 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 北林弘之;玉祖秀人;堀井拓 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件(1)的方法，包括以下步骤：制备由碳化硅制成的衬底(10)；形成与所述衬底进行欧姆接触的接触电极(51)；以及在所述接触电极上并且与所述接触电极接触地形成焊盘电极(80)，形成所述接触电极的步骤包括执行退火的步骤，在形成所述接触电极的步骤中形成的所述接触电极由包含Ti和Si的合金制成，在形成所述焊盘电极的步骤中形成的所述焊盘电极被维持在300℃或更低的温度，直至完成所述半导体器件。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||