| 发明名称 | 一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSi<sub>x</sub>，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN103904132A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201410093312.1 | 申请日期 | 2014.03.14 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 蒋玉龙;彭雾;王琳琳 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法，其特征在于具体步骤为：向硅化钛/硅肖特基整流二极管中的硅化钛薄膜中引入适量氧原子,实现接触势垒调节。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||