| 发明名称 | 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。本发明可以降低器件的开启电压，同时实现器件低反向漏电和高阻断特性工作。 | ||
| 申请公布号 | CN103904134A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201410112734.9 | 申请日期 | 2014.03.25 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 康贺;王晓亮;肖红领;王梅;冯春;姜丽娟;殷海波;崔磊 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||