| 发明名称 | 形成双镶嵌结构的方法、半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种形成双镶嵌结构的方法、半导体器件，形成双镶嵌结构的方法，包括：提供基底，所述基底上依次形成有第一介质层和掺氮碳化硅层；在所述掺氮碳化硅层上形成应力缓冲层；在所述应力缓冲层上形成第二介质层，所述第二介质层的介电常数小于3.5；刻蚀所述第二介质层、应力缓冲层、掺氮碳化硅层形成互连沟槽和互连通孔；在所述互连沟槽和互连通孔内填充金属，形成双镶嵌结构。本发明可以克服第二介质层与掺氮碳化硅层发生层裂的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102468218B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201010532035.1 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上依次形成有第一介质层和掺氮碳化硅层；在所述掺氮碳化硅层上形成应力缓冲层，所述应力缓冲层为氧化硅层；在所述应力缓冲层上形成第二介质层，所述第二介质层的介电常数小于3.5；刻蚀所述第二介质层、应力缓冲层、掺氮碳化硅层形成互连沟槽和互连通孔；在所述互连沟槽和互连通孔内填充金属，形成双镶嵌结构。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||