| 发明名称 | 半导体装置和制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。根据一实施例，半导体装置包括第一半导体部件和导电电极。第一半导体部件用SiC制成。SiC包含作为n型或p型杂质的第一元素。第一半导体部件具有第一界面部分。第一界面部分被配置为具有第一元素的最大面密度。导电电极电气连接到第一界面部分。 | ||
| 申请公布号 | CN103904107A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201310729398.8 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 清水达雄 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/45(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 马景辉 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：用包含作为n型或p型杂质的第一元素的SiC制成的第一半导体部件，第一半导体部件具有被配置为具有第一元素的最大面密度的第一界面部分；以及导电电极，其电气连接到第一界面部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||