| 发明名称 | 固态图像拾取装置、固态图像拾取装置的制造方法和电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能够形成HAD结构以抑制暗电流的发生的固态图像拾取装置、固态图像拾取装置的制造方法和电子设备。所述固态图像拾取装置包括：半导体基板；在所述半导体基板内针对各像素形成的第一导电型的半导体层；在所述半导体基板的表面部分中面向所述半导体层形成的第二导电型的固相扩散层；以及含有第二导电型的杂质元素并通过原子层沉积法形成的氧化物膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103904090A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201310669649.8 | 申请日期 | 2013.12.10 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 宫波勇树 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 梁兴龙;陈桂香 |
| 主权项 | 一种固态图像拾取装置，包括：半导体基板；在所述半导体基板内针对各像素形成的第一导电型的半导体层；在所述半导体基板的表面部分中面向所述半导体层形成的第二导电型的固相扩散层；以及含有第二导电型的杂质元素并通过原子层沉积法形成的氧化物膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||