发明名称 一种等离子体刻蚀设备进气装置
摘要 本实用新型公开了一种等离子体刻蚀设备进气装置,包括连接等离子体刻蚀设备的等离子体源室和反应腔体的中空连接件;所述连接件内固定有匀气环;所述匀气环上开设有缺口,所述缺口两侧的匀气环端口与固定在连接件内的三通接头的两个端口连通;所述三通接头第三个端口与一根连通开设在所述连接件上的进气口和出气口的进气管连通;所述匀气环内侧壁上开设有多个喷淋孔。本实用新型可以大大改善大尺寸基片处的气流密度均匀性,从而提高等离子体刻蚀均匀性;本实用新型结构简单,易于制造,可以根据不同应用场合对其进行改进以适应不同需求。
申请公布号 CN203690266U 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201320839171.4 申请日期 2013.12.19
申请人 中国电子科技集团公司第四十八研究所 发明人 谢利华;陈特超;李健志;王萍;王玉明
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人 马强
主权项 一种等离子体刻蚀设备进气装置,包括连接等离子体刻蚀设备的等离子体源室(2)和反应腔体(6)的中空连接件(4);其特征在于,所述连接件内固定有匀气环(1);所述匀气环(1)上开设有缺口(9),所述缺口(9)两侧的匀气环(1)端口与固定在连接件(4)内的三通接头(3)的两个端口连通;所述三通接头(3)第三个端口与一根连通开设在所述连接件(4)上的进气口(7)和出气口(8)的进气管(10)连通;所述匀气环(1)内侧壁上开设有多个喷淋孔(6)。
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