发明名称 |
用于制备薄膜晶体管沟道的蚀刻剂组合物和沟道制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于制备薄膜晶体管TFT沟道的蚀刻剂组合物和使用所述蚀刻剂组合物制造TFT沟道的方法。所述用于制备TFT沟道的蚀刻剂组合物包括15重量%至25重量%的过氧化氢、0.01重量%至5重量%的含氟化合物、0.1重量%至5重量%的唑化合物、0.5重量%至5重量%的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物、0.1重量%至5重量%的磷酸盐化合物、0.1重量%至5重量%的有机酸、0.001重量%至5重量%的多元醇型表面活性剂、以及余量的水,以便通过仅一次的蚀刻过程,蚀刻源极/漏极层和n+掺杂层。 |
申请公布号 |
CN103903976A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201310611312.1 |
申请日期 |
2013.11.26 |
申请人 |
东友精细化工有限公司 |
发明人 |
金镇成;李石;李铉奎 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
杨黎峰;石磊 |
主权项 |
一种用于制备薄膜晶体管沟道的蚀刻剂组合物,所述组合物包括:15重量%至25重量%的过氧化氢;0.01重量%至5重量%的含氟化合物;0.1重量%至5重量%的唑化合物;0.5重量%至5重量%的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物;0.1重量%至5重量%的磷酸盐化合物;0.1重量%至5重量%的有机酸;0.001重量%至5重量%的多元醇型表面活性剂;以及余量的水。 |
地址 |
韩国全罗北道益山市 |